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EC-80P是由日本Napson公司推出的手持式渦電流非接觸式量測設(shè)備。
2023-11-27 2025-08-07 2025-07-11 2025-06-01 napson納普森 EC-80P（便攜式） 手持式電阻率、方電阻無損測量儀（渦流法）
2023-08-22 產(chǎn)品中心/ products
napson電阻測量儀 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10（NC-20）的介紹簡單的測量儀器，只需將樣品插入探頭之間即可測量在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換通過 JOG 撥盤輕松設(shè)置測量條件*由于探頭為固定型，請?jiān)谫徺I前從多種類型中選擇一種。
產(chǎn)品型號：NC-10（NC-20）廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2023-04-15訪 問 量：1116
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napson電阻測量儀 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10（NC-20）的介紹
napson電阻測量儀 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-10（NC-20）的介紹
節(jié)省空間，使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無損傷測量
探頭可拆卸和更換，因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點(diǎn)測量
厚度和溫度修正功能（硅晶圓）
半導(dǎo)體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
3 至 8 英寸，~156 x 156 毫米
（可選；2 英寸或 12 英寸，~210 x 210 毫米）
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí)）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探頭類型的總范圍）
只需觸摸手持探頭即可測量電阻
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
通過 JOG 撥盤輕松設(shè)置測量條件
可互換連接器連接的電阻測量探頭支持各種電阻
（電阻探頭：最多可使用2+PN判斷探頭）
半導(dǎo)體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）
不受樣品尺寸和形狀的影響（但是，大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品）均可測量
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí)）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
節(jié)省空間，使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無損傷測量
探頭可拆卸和更換，因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點(diǎn)測量
半導(dǎo)體/太陽能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
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