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更新時間：2025-10-21 
瀏覽次數：27在半導體領域，“脫殼"可以理解為：
襯底剝離： 在某些先進工藝中（如制造柔性器件、射頻器件或轉移高質量外延層），需要將生長在“供體襯底"上的單晶外延層完整地剝離下來，并轉移到另一個“目標襯底"上。這個過程需要像礱谷一樣，在界面處進行精密分離，而不損傷外延層的晶體質量。
表面處理與清潔： 在外延生長之前，襯底（如硅、碳化硅、藍寶石）表面必須達到原子級的平整和潔凈。任何表面的自然氧化層、污染物或機械損傷層都像一層“殼"，必須被精準去除，才能為高質量的外延生長提供完的美的“畫布"。
傳統的“脫殼"方法包括化學機械拋光、濕法腐蝕、干法等離子體刻蝕等，但它們各自存在損傷、污染或選擇性不足的問題。
盡管KETT技術本身是農業機械，但其背后的設計哲學對半導體工藝有深刻的啟發：
高精度可控的壓力與間隙： 不是靠蠻力壓碎，而是通過精確控制兩個碾磨盤之間的壓力和間隙，實現稻殼的剝離而米粒完好。對應到半導體，就是需要一種能精確控制作用力（機械、聲學、激光等）在納米甚至埃米級別的技術。
選擇性分離： 礱谷機利用稻殼與米粒之間材質和結合力的差異進行分離。在半導體中，這對應于尋找不同材料界面（如外延層與襯底、外延層與犧牲層）的“弱連接點"，并施加精準的能量實現選擇性剝離。
低損傷： 高精度礱谷的目標是保持米粒的完整和光澤。同樣，半導體“脫殼"技術的終的極目標是實現零損傷或近零損傷的分離或表面處理，保護脆弱的單晶結構。
高效率與連續性： 礱谷機是連續作業的。這啟示半導體制造需要開發更高通量、更適合大規模生產的剝離與處理技術，以替代某些批次式的、低效的工藝。
將上述理念應用于外延層前處理，其潛在價值主要體現在以下幾個方面：
場景： 制造絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上鍺（GOI）或更廣泛的“XOI"結構時，需要將頂部的單晶硅（或其它半導體）層從供體晶圓上剝離并鍵合到帶氧化層的handle wafer上。
傳統方法： 智能剝離技術，通常通過氫離子注入形成弱化層，再通過熱處理或機械劈裂實現分離。機械劈裂環節可能引入裂紋或應力。
“KETT礱谷式"技術的價值：
開發一種納米級精度的機械-聲波復合剝離技術，像礱谷一樣在氫離子注入的弱化層施加一個高度局域化、可控的應力波，實現“干凈利落"的分離，減少邊緣缺陷和碎片率。
提升剝離后供體襯底的表面質量，使其可以像礱谷后的米粒一樣“光滑"，便于直接回收利用，降低材料成本。
場景： 在碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體外延生長前，襯底表面通常存在切割、研磨和拋光帶來的亞表面損傷層。這層“殼"會嚴重影響外延膜的質量。
傳統方法： 化學機械拋光（CMP）是主流，但可能留下化學殘留、產生微觀劃痕，且對SiC這種硬質材料效率較低。
“KETT礱谷式"技術的價值：
光致聲波剝離技術： 使用超短脈沖激光（如飛秒激光）精確照射襯底表面極淺的區域。激光能量被吸收后轉化為精確控制的聲應力波，這就像礱谷機精確的壓力一樣，將亞表面的損傷層“震松"并使其與下方完的美的晶體分離，然后通過溫和的清洗去除。
選擇性反應粒子轟擊： 開發一種高度選擇性的等離子體，其中粒子的能量被精確控制，只夠打斷表面損傷層原子的鍵合，而不損傷下層完好晶體。這實現了在原子尺度上的“脫殼"。
場景： 將生長在剛性襯底（如Si、藍寶石）上的高性能氮化鎵外延層轉移到硅基電路或柔性塑料襯底上，用于制造高性能射頻器件、Micro-LED或可穿戴設備。
傳統方法： 激光剝離是常用技術，但熱效應可能損傷器件，且對于某些材料體系不適用。
“KETT礱谷式"技術的價值：
開發應力工程輔助的界面分離技術。預先在外延層和襯底之間設計一個應力層（如同礱谷中的“間隙"）。通過外部觸發（如熱、電、光），精確釋放該應力層，實現外延層像“米粒脫殼"一樣從襯底上完整、低損傷地彈出。這種方法的關鍵在于對界面應力的納米級精確設計與控制。
將KETT高精度礱谷技術的理念引入半導體制造，其核心潛在價值可以總結為：
極限化的低損傷： 追求在原子/近原子尺度完成操作，最大限度地保護材料的本征電學特性，提升最終器件的性能和良率。
界面處理的革命： 實現對異質界面“弱連接"的精準識別與利用，為先進的層轉移和異質集成開辟新道路。
工藝的精準與智能化： 引入實時監測與反饋控制（如同礱谷機的傳感器），使剝離或處理過程成為一個動態的、可預測的閉環系統，而非開環的“配方"式工藝。
成本與效率的優化： 通過提高剝離的成功率、襯底的回收率和工藝的通量，從長遠看有助于降低先進半導體器件的制造成本。
結論：
“為半導體材料‘脫殼’"這一比喻，精準地描繪了下一代外延前處理技術的發展方向——更溫和、更精準、更智能。雖然我們無法直接將一臺稻谷礱谷機搬進潔凈室，但KETT技術所蘊含的“高精度、選擇性、低損傷"的哲學思想，正是推動半導體材料工藝從“微米制造"邁向“原子制造"所需的關鍵突破。這不僅是技術的借鑒，更是一種方法的論和思維模式的啟迪，有望在第三代半導體、二維材料集成、量子芯片等前沿領域催生顛的覆性的工藝解決方案。
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