服務熱線：15766191432產品到哪里，服務到哪里 !
products category
更新時間：2025-10-10 
瀏覽次數：44PULSTEC 是一家在X射線分析領域，特別是在現場、快速、無損檢測方面享有極的高聲譽的日本公司。其最著名的產品系列就是 μ-X360 系列X射線單晶取向測量裝置。這款設備在全球半導體、功能晶體和高的端材料研究領域被廣泛應用。
傳統的高精度X射線衍射設備通常體積龐大、環境要求苛刻、測量速度慢，且需要專業的操作人員。PULSTEC μ-X360 系列的核心設計理念是打破這一局限，提供一種：
快速：數秒至數十秒內完成測量。
無損：X射線功率極低，不會對樣品造成損傷。
便攜/緊湊：設備小巧，可放置在實驗室臺面，甚至帶到生產現場。
操作簡單：無需深厚的X射線衍射專業知識，普通技術人員經過簡單培訓即可操作。
它旨在將高精度的晶體取向分析從專門的X射線實驗室帶入生產線、研發車間和質檢部門，實現100%在線或現場質檢。
PULSTEC的裝置核心采用 X射線勞厄背反射法。這是理解其為何能如此快速測量的關鍵。
光源：設備使用一個微焦點X射線管，產生連續波長的白色X射線（與單色X射線不同）。
照射：這束準直后的白色X射線照射到待測的單晶樣品（如硅片、藍寶石、LiNbO?晶圓等）上。
衍射：根據布拉格定律，晶體中不同晶面族會從這束“白色"X射線中選擇滿足衍射條件的特定波長進行反射。
成像：這些被不同晶面反射的X射線，會在一維或二維的探測器上形成一系列清晰的斑點，稱為 “勞厄斑點"。
模式分析：勞厄斑點的分布圖案與晶體的絕對取向是一一對應的關系。就像人的指紋一樣，不同的晶體結構和取向會產生獨的一的無的二的勞厄斑點圖案。
設備的工作流程：
照射樣品 → 探測器捕獲勞厄斑點圖案 → 內置軟件將捕獲的圖案與根據已知晶體結構理論計算出的標準圖案進行高速匹配和計算 → 瞬間輸出晶體的三維空間取向（歐拉角：φ, ψ, ω）、晶向偏差、晶界角度等關鍵參數。
其核心產品是 μ-X360 系列，根據應用場景和功能有不同的型號，例如 μ-X360, μ-X360S, μ-X360n 等。
代表型號：μ-X360S
主要特點：
超高速測量：最快僅需1秒鐘即可完成一次完整的取向測量，非常適合在線全檢。
高精度：取向測量精度可達 <0.01°，能夠檢測出極其微小的晶格偏轉。
卓的越的空間分辨率：得益于微焦點X射線源，測量光斑可以非常小（數十微米量級），可以用于測量小樣品或觀察樣品上不同位置的取向變化。
無需掃描：與需要旋轉樣品臺的XRD不同，勞厄法在樣品和探測器保持靜止的狀態下即可完成測量，這是其速度快的主要原因。
絕對取向測量：可以直接給出晶體相對于樣品坐標系（如晶圓邊緣）的絕對取向，而不僅僅是相對值。
用戶友好軟件：軟件界面直觀，通常一鍵即可完成測量和分析，自動生成報告和圖表。
半導體行業
硅晶圓：確認晶圓的晶向（100, 110, 111）、定位扁平邊/缺口的位置精度。
功率器件：對SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬禁帶半導體晶圓的取向進行快速篩查和確認。這對功率器件的性能和良率至關重要。
SOI晶圓：確認表面硅層的晶體取向。
功能晶體與光學材料
激光晶體：如YAG、LiNbO?（鈮酸鋰）、LiTaO?（鉭酸鋰）等，確保加工前的坯料取向正確，否則會影響激光性能和光學轉換效率。
光學晶體：如CaF?（氟化鈣）、KDP等，用于確認切割方位。
金屬材料研究
高溫合金單晶葉片：用于航空發動機和燃氣輪機，確保葉片的晶體取向與設計要求一致，這是保證其高溫強度和蠕變性能的關鍵。
晶粒取向分析：雖然主要用于單晶，但對于大晶粒的多晶材料，也可以對單個晶粒進行取向分析。
地質與考古學
快速分析礦物、寶石的單晶取向。
| 特性 | PULSTEC μ-X360 (勞厄法) | 傳統高分辨率XRD (如四圓衍射儀) |
|---|---|---|
| 測量速度 | 極快 (秒級) | 慢 (分鐘到小時) |
| X射線 | 連續波長 (白色X射線) | 單色X射線 (如Cu-Kα) |
| 樣品運動 | 通常固定不動 | 需要復雜的多軸 (θ, 2θ, φ, ψ) 掃描 |
| 輸出信息 | 絕對取向、晶界角 | 晶格常數、應變、物相、 rocking curve |
| 操作難度 | 簡單，易于上手 | 復雜，需要專業人員 |
| 主要用途 | 快速取向確認與質檢 | 深入的晶體結構、質量分析 |
日本 PULSTEC 的 μ-X360 系列X線單晶方位測量裝置 是一款革命性的工業級無損檢測儀器。它成功地將高精度的晶體學測量從實驗室帶入了生產現場，實現了晶體取向測量的“工業化"和“在線化"。
其核心價值在于：
為質量控制提供了量化標準：將原本依賴間接參數或破壞性檢測的工藝，變成了快速、無損、定量的100%全檢。
極大地提升了生產效率和良率：能夠即時發現取向錯誤的原材料或半成品，避免后續加工資源的浪費。
推動了高的端材料制造的發展：特別是在第三代半導體、航空航天單晶葉片等領域，成為了工藝控制和材料篩選不的可的或的缺的“標尺"。
如果您的工作涉及單晶材料的制備、加工或質量控制，PULSTEC 的這款設備無疑是解決取向測量難題的最佳工具之一。
掃一掃
您的位置：
在線咨詢
返回頂部